Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
RD07MVS1-T512, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C
Характеристики
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм -
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 50
Крутизна характеристики, S -
Корпус slp
Особенности 175/520мгц 7вт
Пороговое напряжение на затворе 2.4
Mitsubishi Electric
Наименование | RD07MVS1-T512 |
Производитель | Mitsubishi Electric |
Описание Eng | Field-effect transistor, radio frequency, 175 MHz, 7 W, 7.2 V |
Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
Нормоупаковка | 1000 шт |
Корпус | QFN12 |