Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
RD07MVS1-T512, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C
Цена по запросу

RD07MVS1-T512, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C

Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм - Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 50 Крутизна характеристики, S - Корпус slp Особенности 175/520мгц 7вт Пороговое напряжение на затворе 2.4 Mitsubishi Electric
Наименование RD07MVS1-T512
Производитель Mitsubishi Electric
Описание Eng Field-effect transistor, radio frequency, 175 MHz, 7 W, 7.2 V
Тип упаковки Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка 1000 шт
Корпус QFN12

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Похожие товары

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных