Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
RJH60F5DPQ, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 260 Вт
Цена по запросу

RJH60F5DPQ, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 260 Вт

Технология/семейство trench Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 260.4 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 53 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 105 Рабочая температура (Tj), °C -55…+150 Корпус to-247a Вес, г 7.5 RENESAS Electronics Corp.
Макс. напр. коллектор-эмиттер 600V
Макс. ток коллектора 80A
Макс. рассеиваемая мощность 260W
Корпус TO-247
Вес брутто 8.4 г.
Наименование RJH60F5DPQ
Производитель RENESAS Electronics Corp.
Описание Eng IGBT, 600 V, 80 A, 260 W
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 30 шт