Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

RN1502(TE85L,F)

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Gen Trans NPN x 2 SMV, 50V, 100A

Pd - рассеивание мощности	300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Диапазон рабочих температур	55 C to + 150 C
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	50
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальная рабочая частота	250 MHz
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	10 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	RN1502
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	1
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SMV-5
Base-Emitter Resistor	10kΩ
Maximum Collector Emitter Voltage	50 V
Maximum DC Collector Current	100 mA
Maximum Emitter Base Voltage	10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum DC Current Gain	50
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	SSOP
Pin Count	5
Transistor Configuration	Common Emitter
Transistor Type	NPN
Typical Input Resistor	10 kΩ
Typical Resistor Ratio	1