Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

RN1910FE,LF(CT

Встроенные транзисторы с резистором смещения (BRT) Встроенные транзисторы с резистором смещения (BRT) Toshiba предлагают широкий диапазон вариантов полярности. Транзисторы резистора смещения доступны с полярностью NPN, PNP, NPN PNP, PNP NPN, NPN x 2 и PNP x 2. Встроенные транзисторы резистора смещения предлагают 3-контактные, 5-контактные и 6-контактные конфигурации с вариантами одиночного, 2-в-1 (точечно-симметричного) и 2-в-1 (с общим эмиттером) внутренних соединений. .

Brand	Toshiba
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Continuous Collector Current	100 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min	120
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity	4000
Manufacturer	Toshiba
Mounting Style	SMD/SMT
Package/Case	SOT-563
Pd - Power Dissipation	100 mW
Product Category	Bipolar Transistors-Pre-Biased
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Series	RN1910
Subcategory	Transistors
Transistor Polarity	NPN
Typical Input Resistor	4.7 kOhms
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA(ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition	250MHz
Manufacturer	Toshiba Semiconductor and Storage
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	SOT-563, SOT-666
Packaging	Cut Tape(CT)
Part Status	Active
Power - Max	100mW
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	-
Series	-
Supplier Device Package	ES6
Transistor Type	2 NPN-Pre-Biased(Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V