Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

RN2130MFV,L3F

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor

Pd - рассеивание мощности	150 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Квалификация	AEC-Q101
Количество каналов	1 Channel
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	100
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	10 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Размер фабричной упаковки	8000
Серия	RN2130
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	100 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	1
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SOT-723-3