Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

RN2306,LF

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения USM TRANSISTOR Pd 100mW F 200Mhz

Pd - рассеивание мощности	100 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.9 mm
Длина	2 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	80
Конфигурация	Single
Максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	RN2306
Тип	PNP Epitaxial Silicon Transistor
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	4.7 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	0.1
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SC-70
Ширина	1.25 mm