Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

RN2701,LF

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A

Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	10 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Размер фабричной упаковки	3000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	USV-5
Base Product Number	TCR2LN ->
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	200MHz
HTSUS	8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Power - Max	200mW
Resistor - Base (R1)	4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	4.7kOhms
RoHS Status	RoHS non-compliant
Supplier Device Package	USV
Transistor Type	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V