Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

RN4606(TE85L,F)

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT PNP NPN 100mA -50V

Pd - рассеивание мощности	300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Количество каналов	2 Channel
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	80
Конфигурация	Dual
Максимальный постоянный ток коллектора	100 mA, 100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V, 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V, 5 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA, 100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN, PNP
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	RN4606
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	4.7 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	0.1
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SOT-26-6
Base Product Number	TD62002 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100ВµA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	200MHz, 250MHz
HTSUS	8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	SC-74, SOT-457
Power - Max	300mW
Resistor - Base (R1)	4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	47kOhms
RoHS Status	RoHS Compliant
Supplier Device Package	SM6
Transistor Type	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V