Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
SGB07N120ATMA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт
Infineon Technologies
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1200V |
| Макс. ток коллектора | 16.5A |
| Макс. рассеиваемая мощность | 125W |
| Корпус | D2PAK/TO263 |
| Вес брутто | 1.2 г. |
| Наименование | SGB07N120ATMA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | IGBT Chip N-CH 1200V 16.5A 125000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| Нормоупаковка | 1000 шт. |
