Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
SGP02N120XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62000 мВт
Infineon Discrete IGBT Transistors
Discrete IGBT transistors from Infineon offer various technologies such as NPT, Trenchstop™ and Fieldstop. They can be used in many applications that may require hard or soft switching including Industrial drives, UPS, Inverters, home appliances and Induction cooking. Some devices include an anti-parallel diode or monolithically integrated diode.
Технология/семейство npt
Наличие встроенного диода нет
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 6.2
Импульсный ток коллектора (Icm), А 9.6
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 62
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 260
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус pg-to-220-3-1
Структура n-канал
Управляющее напряжение,В 4
Дополнительные опции выдерживает 10мкс кз
Вес, г 2.5
Infineon Technologies
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1200V |
| Макс. ток коллектора | 6.2A |
| Макс. рассеиваемая мощность | 62W |
| Корпус | TO-220 |
| Вес брутто | 3.5 г. |
| Наименование | SGP02N120XKSA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
| Нормоупаковка | 500 шт |
