Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
SGP15N120XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт
Характеристики
Структура npt
Максимальное напряжение кэ ,В 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 15
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.1
Управляющее напряжение,В 4
Мощность макс.,Вт 198
Крутизна характеристики, S -
Температурный диапазон,С -55…150
Дополнительные опции -
Корпус to220
Infineon Technologies
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1200 В |
| Макс. ток коллектора | 30 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 52 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 198 Вт |
| Переключаемая энергия | 1.9 мДж |
| Корпус | TO-220AB |
| Вес брутто | 3.5 г. |
| Наименование | SGP15N120XKSA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | IGBT Chip N-CH 1200V 30A 198000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 500 шт |
