Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
SGP23N60UFDTU, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А
Характеристики
Структура n-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 23
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.1
Управляющее напряжение,В 4.5
Мощность макс.,Вт 100
Крутизна характеристики, S -
Температурный диапазон,С -55…150
Дополнительные опции -
Корпус to220
Полезная информация
* Транзисторы IGBT компании "Fairchild Semiconductor"
ON Semiconductor
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600 В |
| Макс. ток коллектора | 23 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 92 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 100 Вт |
| Переключаемая энергия | 115 мкДж |
| Корпус | TO-220 |
| Вес брутто | 3.5 г. |
| Наименование | SGP23N60UFDTU |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
