Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STGB10NC60HDT4, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 65 Вт
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Технология/семейство powermesh
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 14.2
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 72
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус d2-pak
Вес, г 2.5
ST Microelectronics
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600 В |
| Макс. ток коллектора | 20 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 30 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 65 Вт |
| Переключаемая энергия | 31.8 мкДж |
| Корпус | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто | 1.94 г. |
| Наименование | STGB10NC60HDT4 |
| Производитель | ST Microelectronics |
| Описание Eng | IGBT Chip N-CH 600V 20A 65000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 1000 шт |
