Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
STGD5NB120SZ-1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5 А, 55 Вт
Цена по запросу

STGD5NB120SZ-1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5 А, 55 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5 А, 55 Вт ST Microelectronics
Макс. напр. коллектор-эмиттер 1200 В
Макс. ток коллектора 10 А
Импульсный ток коллектора макс. 10 А
Макс. рассеиваемая мощность 75 Вт
Переключаемая энергия 2.59 мДж
Корпус TO-251
Вес брутто 1 г.
Наименование STGD5NB120SZ-1
Производитель ST Microelectronics
Описание Eng IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 50 шт.