Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STGP10NC60KD, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 65 Вт
The STGP10NC60KD is a 600V short-circuit rugged IGBT that utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behaviour. The IGBT is ideal for use in SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies. Improved switch-off energy spread versus increasing temperature result in reduced switching losses.
• Lower on-voltage drop
• Lower CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
• Very soft ultra fast recovery anti-parallel diode
• 10µs Short-circuit withstand time
• Low VCE (sat) for reduced conduction losses
• Tight parameter distribution for design simplification and easy paralleling
Технология/семейство powermesh
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 72
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-220
Вес, г 2.5
ST Microelectronics
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600 В |
| Макс. ток коллектора | 20 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 30 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 65 Вт |
| Переключаемая энергия | 55 мкДж |
| Вес брутто | 2.8 г. |
| Наименование | STGP10NC60KD |
| Производитель | ST Microelectronics |
| Описание Eng | IGBT 600V 20A 65W TO220 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
