Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STGP14NC60KD, Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт
The STGP14NC60KD is a short-circuit rugged IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low ON-state behaviour. It is suitable for SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies.
• Low on-voltage drop (VCE(sat))
• Low CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
• Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode
• Switching losses include diode recovery energy
• 10µs Short-circuit withstand time
Технология/семейство powermesh
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А 50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 80
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 22.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 116
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-220
Вес, г 2.5
ST Microelectronics
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600 В |
| Макс. ток коллектора | 25 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 50 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 80 Вт |
| Переключаемая энергия | 82 мкДж |
| Корпус | TO-220AB |
| Вес брутто | 2.72 г. |
| Наименование | STGP14NC60KD |
| Производитель | ST Microelectronics |
| Описание Eng | IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
