Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STGP19NC60HD, Биполярный транзистор IGBT, 130 Вт, 21 А, 600 В
IGBT транзистор -
Корпус TO220AB, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 40 А, Напряжение насыщения К-Э 2.5 В, Максимальная мощность 130 Вт, Заряд затвора 53 нКл, Тип входа стандартный
Технология/семейство powermesh
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 130
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 97
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-220
Вес, г 2.5
ST Microelectronics
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600 В |
| Макс. ток коллектора | 40 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 60 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 130 Вт |
| Переключаемая энергия | 85 мкДж |
| Корпус | TO-220 |
| Вес брутто | 2.8 г. |
| Наименование | STGP19NC60HD |
| Производитель | ST Microelectronics |
| Описание Eng | IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
