Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STGP8NC60KD, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А
Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 10.4мм
Transistor Configuration Одинарный
Brand STMicroelectronics
Package Type TO-220
Maximum Power Dissipation 65 W
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 4.6мм
Maximum Gate Threshold Voltage 6.5V
Высота 15.75мм
Minimum Gate Threshold Voltage 4.5V
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 19
Channel Mode Поднятие
Forward Diode Voltage 2.1V
Вес, г 2.5
ST Microelectronics
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600 В |
| Макс. ток коллектора | 15 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 30 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 65 Вт |
| Переключаемая энергия | 55 мкДж |
| Корпус | TO-220 |
| Вес брутто | 2.78 г. |
| Наименование | STGP8NC60KD |
| Производитель | ST Microelectronics |
| Описание Eng | IGBT Chip N-CH 600V 7A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
