Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STGW20NC60VD, Биполярный транзистор IGBT, 200 Вт, 30 А, 600 В
Характеристики
Структура n-канал
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8
Управляющее напряжение,В 5.75
Мощность макс.,Вт 200
Крутизна характеристики, S 15
Температурный диапазон,С -55…+150
Дополнительные опции -
Корпус to-247
ST Microelectronics
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600 В |
| Макс. ток коллектора | 60 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 150 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 200 Вт |
| Переключаемая энергия | 220 мкДж |
| Корпус | TO-247 |
| Вес брутто | 6.4 г. |
| Наименование | STGW20NC60VD |
| Производитель | ST Microelectronics |
| Описание Eng | IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
