Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
STGW30NC60WD, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 200 Вт
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature +150 °C
Length 15.75mm
Transistor Configuration Одинарный
Brand STMicroelectronics
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 60 A
Package Type TO-247
Maximum Power Dissipation 200 W
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 5.15mm
Height 20.15mm
Pin Count 3
Dimensions 15.75 x 5.15 x 20.15mm
Switching Speed 1МГц
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Channel Type N
Вес, г 7.5
ST Microelectronics
Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600 В |
Макс. ток коллектора | 60 А |
Импульсный ток коллектора макс. | 150 А |
Макс. рассеиваемая мощность | 200 Вт |
Переключаемая энергия | 305 мкДж |
Корпус | TO-247 |
Вес брутто | 6.57 г. |
Наименование | STGW30NC60WD |
Производитель | ST Microelectronics |
Описание Eng | IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Тип упаковки | Tube (туба) |
Нормоупаковка | 30 шт |