Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STGW35HF60WDA, Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 35 А, 600 В
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Технология/семейство hf, planar
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 30
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 175
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247
Структура n-канал
Управляющее напряжение,В 5.75
Вес, г 7.5
ST Microelectronics
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600 В |
| Макс. ток коллектора | 60 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 150 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 200 Вт |
| Переключаемая энергия | 290 мкДж |
| Корпус | TO-247 |
| Вес брутто | 6.5 г. |
| Наименование | STGW35HF60WDA |
| Производитель | ST Microelectronics |
| Описание Eng | IGBT Chip N-CH 600V 60A 200 W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
