Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STGW60V60DF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Технология/семейство trench and fieldstop
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 375
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 208
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Корпус to-247
Вес, г 7.5
ST Microelectronics
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600 В |
| Макс. ток коллектора | 80 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 240 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 375 Вт |
| Переключаемая энергия | 750 мкДж |
| Корпус | TO-247 |
| Вес брутто | 6.67 г. |
| Наименование | STGW60V60DF |
| Производитель | ST Microelectronics |
| Описание Eng | IGBT 600V 80A 375W TO247 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
