Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
STGW80H65DFB, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт
Цена по запросу

STGW80H65DFB, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт

Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт ST Microelectronics
Макс. напр. коллектор-эмиттер 650 В
Макс. ток коллектора 120 А
Импульсный ток коллектора макс. 240 А
Макс. рассеиваемая мощность 469 Вт
Переключаемая энергия 2.1 мДж
Корпус TO-247
Вес брутто 7.03 г.
Наименование STGW80H65DFB
Производитель ST Microelectronics
Описание Eng IGBT Chip N-CH 650V 120A
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 30 шт

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных