Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
STGWT40H65DFB, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 283 Вт
Цена по запросу

STGWT40H65DFB, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 283 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 283 Вт ST Microelectronics
Макс. напр. коллектор-эмиттер 650 В
Макс. ток коллектора 80 А
Импульсный ток коллектора макс. 160 А
Макс. рассеиваемая мощность 283 Вт
Переключаемая энергия 498 мкДж
Корпус TO-3P
Наименование STGWT40H65DFB
Производитель ST Microelectronics
Описание Eng IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 30 шт.