Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

UMD9NFHATR, Digital Transistors TRANS DIGITAL PNP+NPN

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital TransistorsБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DIGITAL TRANS PNP+NPN

Pd - рассеивание мощности	150 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Выходное напряжение	100 mV
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	68
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальная рабочая частота	250 MHz
Непрерывный коллекторный ток	100 mA, 100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN, PNP
Размер фабричной упаковки	3000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	4.7
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-363-6
Base Product Number	UMD9 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	68 @ 5mA, 5V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	250MHz
HTSUS	8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max	150mW
REACH Status	REACH Unaffected
Resistor - Base (R1)	10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	47kOhms
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package	UMT6
Transistor Type	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Вес, г	0.0214