Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

UMG3NTR

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DUAL NPN 50V 100MA SOT-353

Pd - рассеивание мощности	100 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.77 mm
Длина	2 mm
Другие названия товара №	UMG3N
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	100
Конфигурация	Dual Common Emitter
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	600
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	UMG3N
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	4.7 kOhms
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	UMT-5
Ширина	1.7 mm
Base Product Number	*MG3 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 1mA, 5V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	250MHz
HTSUS	8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Other Related Documents	http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Power - Max	150mW
REACH Status	REACH Unaffected
Resistor - Base (R1)	4.7kOhms
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Simulation Models	http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Supplier Device Package	UMT5
Transistor Type	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V