Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
2N2608, JFETs JFET
Unclassified
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| RoHS | N |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 30 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | JFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение отсечки затвор-исток | 0.75 V to 6 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | JFETs |
| Ток стока при Vgs=0 | 1 mA to - 5 mA |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-18-3 |
| Вес, г | 1 |
Похожие товары
Цена по запросу
