Цена по запросу
J113, Транзистор N-канал 30В 50мА 350мВт [TO-92]
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
| Структура | N-канал |
| Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 35 |
| Ток утечки (Idss), мА | 2(min) |
| при Vds, В (Vgs=0) | 15 |
| Напряжение отсечки (Vgs off), В | 0.5…3 |
| при Id, нА | 1000 |
| Сопротивление канала (RDS(On)), Ом | 100(max) |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.625 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | TO-92 |
| Вес, г | 0.3 |
Похожие товары
Цена по запросу