Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
2N7000, MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
Unclassified Описание Транзистор полевой 2N7000 от производителя DIOTEC предназначен для широкого спектра электронных устройств. Этот N-MOSFET компонент обеспечивает высокую скорость переключения и низкое сопротивление в открытом состоянии, что делает его идеальным для эффективного управления питанием. Монтаж данного транзистора осуществляется через отверстия (THT), что облегчает его интеграцию в печатные платы. Корпус TO92 гарантирует легкость установки и достаточную теплоотдачу для большинства применений. Используйте 2N7000 для улучшения производительности ваших проектов. Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
полевой
Вид
N-MOSFET
Монтаж
THT
Корпус
TO92
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Корпус | TO92 |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 0.2 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 5000@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 3 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 350 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Ammo |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-92 |
| Supplier Package | TO-92 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 60@25V |
| Мощность, Вт | 0.35 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.075 |
| Ток стока, А | 0.2 |
| Continuous Drain Current (Id) | 200 mA |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 60 V |
| Gate-Source Voltage | 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| ON Resistance (Rds(on)) | 6 Ohm |
| Operating Temperature Max. | 150 °C |
| Operating Temperature Min. | -55 °C |
| Package Type | TO-92 |
| Pins | 3 |
| Power Dissipation (Pd) | 350 mW |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Turn-OFF Delay Time | 10 ns |
| Turn-ON Delay Time | 10 ns |
| Вес, г | 1 |
Похожие товары
Цена по запросу
