Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
AOD3N50, Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 1,8А, 57Вт, TO252
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 1,8А, 57Вт, TO252 Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
полевой
Вид
MOSFET
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
| Automotive | Unknown |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 2.8 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 3000@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 500 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ?30 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 57000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (?C) | -50~150 |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Supplier Package | DPAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 6.7 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 6.7@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 276@25V |
| Case | TO252 |
| Drain current | 1.8A |
| Drain-source voltage | 500V |
| Gate charge | 6.7nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 3Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 57W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.45 |
Похожие товары
Цена по запросу
