Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
AON7254
Электроэлемент Описание Транзистор МОП n-канальный, полевой, 150В, 11А, 15,6Вт, DFN-8 Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
полевой
Вид
N-MOSFET
Монтаж
SMD
Ток стока, А
11
Напряжение сток-исток, В
150
Мощность, Вт
15.6
Сопротивление в открытом состоянии, Ом
0.054
Корпус
DFN8
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 11 |
Напряжение сток-исток, В | 150 |
Мощность, Вт | 15.6 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.054 |
Корпус | DFN8 |
Automotive | Unknown |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 17 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 54@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 150 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2.7 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 39000 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 8 |
Process Technology | AlphaMOS |
Standard Package Name | DFN |
Supplier Package | DFN EP |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 11.5 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 11.5@10VI5.5@4.5V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 675@75V |
Case | DFN3.3x3.3 |
Drain current | 11A |
Drain-source voltage | 150V |
Gate charge | 5.6nC |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 54mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 15.6W |
Type of transistor | N-MOSFET |