Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
BCW66KHE6327, Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,8А, 0,5Вт, SOT23
Semiconductors\Transistors\Bipolar transistors\Single bipolar transistors Описание Транзистор биполярный NPN BCW66KHE6327 от INFINEON, предназначен для монтажа в SMD-выполнении, обеспечивает ток коллектора до 0,8 А и напряжение коллектор-эмиттер до 45 В. При мощности 0,5 Вт и компактном корпусе SOT23, этот транзистор является идеальным выбором для широкого спектра областей применения, где требуется надежный контроль тока. Модель BCW66KHE6327 характеризуется высокой эффективностью и стабильностью работы, что делает его незаменимым компонентом в разработке современной электроники. Продукт BCW66KHE6327 отличается высокой надежностью, что подтверждается качеством производителя INFINEON. Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
биполярный
Вид
NPN
Монтаж
SMD
Ток коллектора, А
0.8
Напряжение коллектор-эмиттер, В
45
Мощность, Вт
0.5
Корпус
SOT23
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
| Монтаж | SMD |
| Ток коллектора, А | 0.8 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 45 |
| Мощность, Вт | 0.5 |
| Корпус | SOT23 |
| Case | SOT23 |
| Collector current | 0.8A |
| Collector-emitter voltage | 45V |
| Frequency | 170MHz |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Mounting | SMD |
| Polarisation | bipolar |
| Power dissipation | 0.5W |
| Type of transistor | NPN |
| Brand | Infineon Technologies |
| Collector- Base Voltage VCBO | 75 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 45 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 450 mV |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 800 mA |
| DC Collector/Base Gain hFE Min | 250 |
| DC Current Gain hFE Max | 630 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 170 MHz |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum DC Collector Current | 800 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package/Case | SOT-23-3 |
| Part # Aliases | BCW 66KH E6327 SP000271906 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Subcategory | Transistors |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | NPN |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Automotive | Yes |
| Maximum Collector Base Voltage - (V) | 75 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | 45 |
| Maximum DC Collector Current - (A) | 0.8 |
| Maximum Emitter Base Voltage - (V) | 5 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 500 |
| Maximum Transition Frequency - (MHz) | 170(Typ) |
| Military | No |
| Minimum DC Current Gain | 40@500mA@1VI250@100mA@1VI180@10mA@1V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -65~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Вес, г | 0.02 |
Похожие товары
Цена по запросу
