Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
BSZ160N10NS3G
Цена по запросу

BSZ160N10NS3G

Электроэлемент100V 8A 2.1W 16mOhm@10V,20A 3.5V@33uA N Channel TSDSON-8(3.3x3.3) MOSFETs
Brand Infineon Technologies
Channel Mode Enhancement
Configuration 1 N-Channel
Factory Pack Quantity 5000
Fall Time 5 ns
Forward Transconductance - Min 16 S
Height 1.1 mm
Id - Continuous Drain Current 40 A
Length 3.3 mm
Manufacturer Infineon
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TSDSON-8
Packaging Reel
Part # Aliases BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GXT SP000482390
Pd - Power Dissipation 63 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 25 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 14 mOhms
Rise Time 10 ns
RoHS Details
Series OptiMOS 3
Technology Si
Tradename OptiMOS
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 22 ns
Typical Turn-On Delay Time 13 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Width 3.3 mm
Configuration Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity 5000
Part # Aliases SP000482390 BSZ16N1NS3GXT BSZ160N10NS3GATMA1
Product Type MOSFET
Subcategory MOSFETs
Vgs - Gate-Source Voltage -20 V, +20 V
Вес, г 0.3

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных