Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
DMG6968U-7, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 20В, 6,5А, 1,3Вт, SOT23
Транзисторы Описание Транзистор полевой DMG6968U-7 от производителя DIODES INCORPORATED – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа с помощью SMD технологии. Он обладает током стока 6,5 А и напряжением сток-исток 20 В, что обеспечивает его надежную работу в различных электронных устройствах. С мощностью 1,3 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,021 Ом, этот компонент обеспечивает эффективную и энергосберегающую работу. Корпус SOT23 обеспечивает удобство интеграции в печатные платы и компактность конструкции. Воспользуйтесь преимуществами DMG6968U7 для повышения производительности ваших электронных проектов. Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
полевой
Вид
N-MOSFET
Монтаж
SMD
Ток стока, А
6.5
Напряжение сток-исток, В
20
Мощность, Вт
1.3
Сопротивление в открытом состоянии, Ом
0.021
Корпус
SOT23
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 6.5 |
Напряжение сток-исток, В | 20 |
Мощность, Вт | 1.3 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.021 |
Корпус | SOT23 |
Корпус | sot23 |
Base Product Number | DMG6968 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6.5A (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 151pF @ 10V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6.5A, 4.5V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±12V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250ВµA |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 6.5 A |
Maximum Drain Source Resistance | 36 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 0.9V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.3 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 8.5 nC @ 4.5 V |
Width | 1.4mm |
Вес, г | 0.03 |