Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
FDB2532, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 56А, 310Вт, D2PAK
Цена по запросу

FDB2532, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 56А, 310Вт, D2PAK

Полевые МОП-транзисторы PowerTrench® onsemi / Fairchild МОП-транзисторы PowerTrench® предлагают широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов в отрасли. Эти полевые МОП-транзисторы предлагают версии с N-каналом и P-каналом, которые оптимизированы для работы и надежности переключения с низким R DS (ON). Типичные приложения включают переключатели нагрузки, первичное переключение, мобильные вычисления, преобразователи постоянного тока в постоянный и синхронные выпрямители.
Brand onsemi/Fairchild
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity 800
Fall Time 17 ns
Id - Continuous Drain Current 79 A
Manufacturer onsemi
Maximum Operating Temperature +175 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package/Case D2PAK-3(TO-263-3)
Part # Aliases FDB2532_NL
Pd - Power Dissipation 310 W
Product Category MOSFET
Product Type MOSFET
Qg - Gate Charge 107 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 14 mOhms
REACH - SVHC Details
Rise Time 30 ns
Series FDB2532
Subcategory MOSFETs
Technology Si
Tradename PowerTrench
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 39 ns
Typical Turn-On Delay Time 16 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 150 V
Vgs - Gate-Source Voltage -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 79 A
Maximum Drain Source Resistance 48 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 150 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 310 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type D2PAK(TO-263)
Pin Count 3
Series PowerTrench
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 82 nC @ 10 V
Width 11.33mm
Вес, г 2.087

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных