Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IPAN70R900P7SXKSA1, MOSFETs CONSUMER
UnclassifiedМОП-транзистор CONSUMER
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 17.9 W |
| Qg - заряд затвора | 6.8 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 740 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 700 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 4.7 ns |
| Время спада | 31 ns |
| Другие названия товара № | IPAN70R900P7S SP001703476 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 58 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.74Ом |
| Power Dissipation | 17.9Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 700В |
| Непрерывный Ток Стока | 6А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 17.9Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.74Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.9 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 FP |
| Pin Count | 3 |
| Series | 700V CoolMOS™ P7 |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 2.203 |
Похожие товары
Цена по запросу
