Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IPD082N10N3GATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 80 А, 0.007 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
IPD082N10N3 G, SP001127824
• OptiMOS™3 power transistor
• N-channel, normal level
• Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance R DS(on)
• Qualified according to JEDEC for target application
• Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.007Ом |
| Power Dissipation | 125Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS 3 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 80А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.7В |
| Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.007Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0082 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-252 |
| Pin Count | 3 |
| Series | OptiMOS 3 |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 0.366 |
Похожие товары
Цена по запросу
