Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IPP50R199CPXKSA1, MOSFETs N-Ch 500V 17A TO220-3
Unclassified Описание Транзистор полевой IPP50R199CPXKSA1 от производителя INFINEON – это высококачественный компонент для использования в электронных устройствах, где требуется мощный N-MOSFET. Модель монтируется с помощью THT (сквозного монтажа), обеспечивая простую установку и надежное соединение. Ток стока достигает 17 А, а напряжение сток-исток выдерживает до 500 В, что позволяет использовать транзистор в мощных схемах. Его мощность составляет 139 Вт, а сопротивление в открытом состоянии всего 0,199 Ом, что свидетельствует о высокой эффективности и экономии энергии. Корпус PG-TO220-3 обеспечивает удобство монтажа и достаточную теплоотдачу. Для технических специалистов, которые ищут надежные компоненты, IPP50R199CPXKSA1 станет отличным выбором благодаря сочетанию производительности и качества от INFINEON. Код товара без специальных символов и пробелов: IPP50R199CPXKSA1. Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
полевой
Вид
N-MOSFET
Монтаж
THT
Ток стока, А
17
Напряжение сток-исток, В
500
Мощность, Вт
139
Сопротивление в открытом состоянии, Ом
0.199
Корпус
PG-TO220-3
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 17 |
| Напряжение сток-исток, В | 500 |
| Мощность, Вт | 139 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.199 |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity | 500 |
| Fall Time | 10 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 17 A |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | IPP50R199CP SP000680934 |
| Pd - Power Dissipation | 139 W |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 34 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 180 mOhms |
| Rise Time | 14 ns |
| Series | CoolMOS CE |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Tradename | CoolMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 80 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 35 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.13Ом |
| Power Dissipation | 192Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | CoolMOS CP |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Непрерывный Ток Стока | 23А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 192Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.13Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Вес, г | 2 |
Похожие товары
Цена по запросу
