Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

IPU80R1K0CEBKMA1

Электроэлемент Описание Транзистор полевой IPU80R1K0CEBKMA1 от производителя INFINEON – это высококачественный компонент для электронных устройств, обеспечивающий надежное управление током до 5,7 А. С монтажом THT и максимальным напряжением сток-исток в 800 В, этот N-MOSFET транзистор способен выдерживать мощность до 83 Вт. Отличается низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,95 Ом, что делает его идеальным выбором для энергоэффективных применений. Корпус PG-TO251-3 предоставляет удобство в интеграции в различные схемы. Модель IPU80R1K0CEBKMA1 – ваш выбор для качественной электроники. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 5.7 Напряжение сток-исток, В 800 Мощность, Вт 83 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.95 Корпус PG-TO251-3

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	5.7
Напряжение сток-исток, В	800
Мощность, Вт	83
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.95
Корпус	PG-TO251-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.7A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	785pF @ 100V
Manufacturer	Infineon Technologies
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C(TJ)
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging	Tube
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Power Dissipation (Max)	83W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	950 mOhm @ 3.6A, 10V
Series	CoolMOS™
Standard Package	1.5
Supplier Device Package	PG-TO251-3
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 250µA
Case	IPAK
Drain current	5.7A
Drain-source voltage	800V
Gate-source voltage	±20V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	tube
Mounting	THT
On-state resistance	0.95Ω
Polarisation	unipolar
Power dissipation	83W
Type of transistor	N-MOSFET
Вес, г	1.033