Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
IRFP150MPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 100В, 42А, 160Вт, TO247AC
Цена по запросу

IRFP150MPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 100В, 42А, 160Вт, TO247AC

Описание Полевой транзистор IRFP150MPBF от известного производителя INFINEON – это высокомощное устройство в корпусе TO247AC, предназначенное для применения в силовой электронике. Данный N-MOSFET транзистор обладает током стока 42 А и напряжением сток-исток 100 В, что позволяет использовать его в различных схемах с высокими нагрузками. Мощность устройства составляет 160 Вт, а благодаря монтажу THT, его легко установить на печатные платы. Модель IRFP150MPBF гарантирует надежность и долговечность в эксплуатации, что делает её идеальным выбором для разработчиков и инженеров. Этот транзистор подойдет для усовершенствования существующих устройств или создания новых проектов в области силовой электроники. Внимание: при покупке проверьте маркировку на корпусе, она должна быть IRFP150MPBF без пробелов и специальных символов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 42 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 160 Корпус TO247AC
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид N-MOSFET
Монтаж THT
Ток стока, А 42
Напряжение сток-исток, В 100
Мощность, Вт 160
Корпус TO247AC
Id - непрерывный ток утечки 42 A
Pd - рассеивание мощности 160 W
Qg - заряд затвора 110 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 36 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.8 V
Вид монтажа Through Hole
Высота 20.7 mm
Длина 15.87 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 400
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка Infineon / IR
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Ширина 5.31 mm
Transistor Polarity N Channel; Continuous Drain Current Id
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 42 A
Maximum Drain Source Resistance 36 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 160 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-247AC
Pin Count 3
Series HEXFET
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 110 nC @ 10 V
Width 5.2mm
Вес, г 1

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных