Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
IRFU320PBF
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 2А, 42Вт, IPAK Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
полевой
Вид
MOSFET
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.1 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1800 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 400 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
Maximum IDSS (uA) | 25 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-251 |
Supplier Package | IPAK |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 13 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 20(Max) |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 20(Max)10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 350 25V |
Typical Rise Time (ns) | 14 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
Drain Source On State Resistance | 1.8Ом |
Power Dissipation | 42Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 400В |
Непрерывный Ток Стока | 3.1А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 42Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.8Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-251AA |
Brand | Vishay Semiconductors |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Height | 6.22 mm |
Length | 6.73 mm |
Manufacturer | Vishay |
Package / Case | TO-251-3 |
Packaging | Tube |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Unit Weight | 0.01164 oz |
Width | 2.39 mm |
Вес, г | 0.658 |