Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IXFA6N120P, MOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
Unclassified Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 1,2кВ, 6А, 250Вт, TO263 Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
полевой
Вид
MOSFET
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
| Brand | IXYS |
| Channel Mode | Enhancement |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Fall Time | 14 ns |
| Forward Transconductance - Min | 3 S |
| Id - Continuous Drain Current | 6 A |
| Manufacturer | IXYS |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package/Case | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 250 W |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 92 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.75 Ohms |
| Rise Time | 11 ns |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Type | Polar HiPerFET Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 60 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 24 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1.2 kV |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
| Вес, г | 3 |
Похожие товары
Цена по запросу
