Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
IXFH12N90P, MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Цена по запросу

IXFH12N90P, MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

Unclassified Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 900В, 12А, 380Вт, TO247-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET
Id - непрерывный ток утечки 12 A
Pd - рассеивание мощности 380 W
Qg - заряд затвора 56 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 900 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 900 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 6.5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 34 ns
Время спада 68 ns
Высота 21.46 mm
Длина 16.26 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение HyperFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 8.2 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 30
Серия IXFH12N90
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 50 ns
Типичное время задержки при включении 32 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Ширина 5.3 mm
Вес, г 6.5

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных