Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
IXTH3N100P, MOSFETs 3 Amps 1000V
Цена по запросу

IXTH3N100P, MOSFETs 3 Amps 1000V

Unclassified Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 3А, 125Вт, TO247-3, 820нс Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET
Case TO247-3
Drain current 3A
Drain-source voltage 1kV
Features of semiconductor devices standard power mosfet
Gate charge 36nC
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer IXYS
Mounting THT
Polarisation unipolar
Power dissipation 125W
Reverse recovery time 820ns
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 1

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных