Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IXTP1R6N50D2, MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
Unclassified Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 1,6А, 100Вт, TO220-3, 400нм Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
полевой
Вид
MOSFET
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 100 W |
| Qg - заряд затвора | 23.7 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.3 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 70 ns |
| Время спада | 41 ns |
| Канальный режим | Depletion |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.75 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | MOSFET |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IXTP1R6N50 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Вес, г | 2.3 |
Похожие товары
Цена по запросу
