Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IXTQ52N30P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 300В, 52А, 400Вт, TO3P
Описание Транзистор полевой IXTQ52N30P от производителя IXYS представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа типа THT. Этот транзистор обладает током стока 52 А и напряжением сток-исток, достигающим 300 В, что делает его идеальным выбором для задач, требующих большой мощности. С мощностью в 400 Вт и сопротивлением в открытом состоянии всего 0,073 Ом, он обеспечивает высокую эффективность при минимальных потерях энергии. В корпусе TO3P этот компонент легко интегрируется в различные области применения, где требуется надежное управление мощностью. Код товара IXTQ52N30P станет ключевым элементом в вашем проекте, обеспечивая стабильную работу и долговечность. Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
полевой
Вид
N-MOSFET
Монтаж
THT
Ток стока, А
52
Напряжение сток-исток, В
300
Мощность, Вт
400
Сопротивление в открытом состоянии, Ом
0.073
Корпус
TO3P
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 52 |
| Напряжение сток-исток, В | 300 |
| Мощность, Вт | 400 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.073 |
| Корпус | TO3P |
| Brand | IXYS |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity | 30 |
| Fall Time | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 52 A |
| Manufacturer | IXYS |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-3P-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 400 W |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 110 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 66 mOhms |
| Rise Time | 22 ns |
| Series | IXTQ52N30 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 60 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 24 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 300 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Вес, г | 5.31 |
Похожие товары
Цена по запросу
