Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
J112-D26Z, 5 mA, 35 V, N-Channel JFET Transistor
Discrete Semiconductors\Fet Transistors\Jfet Описание ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -35 В, 5 мА, -5 В
Automotive | No |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
HTS | 8541.29.00.95 |
Lead Shape | Formed |
Maximum Drain Gate Voltage (V) | 35 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | -35 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 625 |
Minimum Drain Saturation Current (mA) | 5 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Package Height | 5.33(Max) |
Package Length | 5.2(Max) |
Package Width | 4.19(Max) |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Standard Package Name | TO |
Supplier Package | TO-92 |