Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
J175-D26Z, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -7 мА, -60 мА, 6 В
Описание ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -7 мА, -60 мА, 6 В
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 350 mW |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-92 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Brand | onsemi/Fairchild |
Configuration | Single |
Drain-Source Current at Vgs=0 | -7 mA to-60 mA |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity | 2000 |
Gate-Source Cutoff Voltage | 6 V |
Manufacturer | onsemi |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-92-3 Kinked Lead |
Packaging | Reel, Cut Tape |
Part # Aliases | J175_D26Z |
Pd - Power Dissipation | 350 mW |
Product Category | JFET |
Product Type | JFETs |
Rds On - Drain-Source Resistance | 125 Ohms |
Series | J175 |
Subcategory | Transistors |
Technology | Si |
Transistor Polarity | P-Channel |
Type | JFET |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Вес, г | 0.379 |