Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
NTD5865NLT4G, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 46А, 71Вт, DPAK
Transistors/Thyristors\MOSFETs
The NTD5865NLT4G is a N-channel Power MOSFET features low gate charge, high current capability and fast switching.
• 100% Avalanche tested
• ±20V Gate-source voltage
• 2.1°C/W Junction-to-case (drain) thermal resistance
• 49°C/W Junction-to-ambient thermal resistance
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.016Ом |
| Power Dissipation | 52Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 46А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Рассеиваемая Мощность | 52Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.016Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 19 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 52 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Width | 6.22mm |
| Вес, г | 0.378 |
Похожие товары
Цена по запросу
