Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
NTE2387, Power Mosfet N-channel 800V Id=4A TO-220 Case High Speed Switch Enhancement Mode Rds=3 Ohm
Цена по запросу

NTE2387, Power Mosfet N-channel 800V Id=4A TO-220 Case High Speed Switch Enhancement Mode Rds=3 Ohm

Discrete Semiconductors\Fet Transistors\Mosfet Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 2,6А, Idm: 16А, 125Вт, ТО220 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET
Case TO220
Drain current 2.6A
Drain-source voltage 800V
Gate-source voltage ±20V
Kind of channel enhanced
Manufacturer NTE Electronics
Mounting THT
On-state resistance
Polarisation unipolar
Power dissipation 125W
Pulsed drain current 16A
Type of transistor N-MOSFET

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных